芯片物理与器件工程师Ⅰ 外地

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岗位职责 1.磁隧道结（MTJ）的薄膜生长、测试及器件研发； 2.设计并优化存储器件（如磁隧道结等）的微纳加工工艺，优化良率； 3.参与存储器和磁隧道结的电路设计与仿真验证，完成器件电学特性测试与SPICE建模，对接Foundry制定工艺设计套件（PDK）； 4.支持产线工艺开发，解决器件制备中的工艺问题。 任职要求 1.微电子学、材料物理相关专业博士优先； 2.具有STT或SOT磁隧道结的薄膜和器件的工作或研究经历； 3.熟悉存储器和磁隧道结制备的微纳加工工艺或电路设计和仿真； 4.具备薄膜生长、光刻、刻蚀、测试等相关经验； 5.能接受定期出差，适应高强度研发节奏。 福利待遇： 1.股权激励、五险一金、公积金、年终奖，定期体检、住房补贴、交通补助、健身会员一应俱全； 2.高配的研发办公设备，人手4060Ti显卡、多台2K-27英寸旋转升降显示器、人体工学椅、机械键盘； 3.丰厚的期权激励，全公司近30%股份-青年员工期权池； 4.顶尖的学术培养，北京大学、中国科学院等一流高校与科研机构课题组指导。

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