芯片物理与器件工程师Ⅲ 外地

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岗位职责 1.负责NAND、NOR、DRAM、CrossBar等高密度存储结构的研发与优化； 2.独立完成存储器件的仿真和工艺优化； 3.支持产线量产，解决工艺问题，推动技术验证与量产导入； 4.熟悉上述器件的工作原理及其在存储器中的应用。 任职要求 1.具有2年以上半导体或存储器领域的研发经验，产线量产经验优先； 2.熟悉NAND、NOR、DRAM、CrossBar等高密度存储结构的工作原理； 3.具备独立完成器件仿真和工艺优化的能力； 4.能适应高强度工作，具备团队协作精神； 5.优先考虑具有相关工作经验的社招人才，应届毕业生特别优异者酌情考虑。 福利待遇： 1.股权激励、五险一金、公积金、年终奖，定期体检、住房补贴、交通补助、健身会员一应俱全； 2.高配的研发办公设备，人手4060Ti显卡、多台2K-27英寸旋转升降显示器、人体工学椅、机械键盘； 3.丰厚的期权激励，全公司近30%股份-青年员工期权池； 4.顶尖的学术培养，北京大学、中国科学院等一流高校与科研机构课题组指导。

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